盖世汽车讯 据外媒报道，半导体制造商罗姆开发出100V耐压肖特基势垒二极管(SBD)，可为汽车、工业和消费应用中的电源和保护电路提供业界领先的反向恢复时间(reverse recovery time，trr)。

尽管存在多种类型的二极管，但高效SBD越来越多地用于各种应用。特别是具有沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面型，可在整流应用中实现更高的效率。然而，沟槽MOS结构的一个缺点是trr通常比平面拓扑差，导致用于开关时的功率损耗更高。

为此，罗姆开发出新系列，采用专有的沟槽MOS结构，可同时降低VF和IR，同时实现同类领先的trr。