，据 BusinessKorea 的报道，三星已经设定了目标，即在今年 6 月前完成 11 纳米的第六代 1c DRAM 芯片的开发据说该公司已经要求其研究人员停止或跳过 1b DRAM 的开发，这是一种 12 纳米芯片

此前有消息称，三星已经中断了 12—13nm 工艺级别内存研发，表示三星 13nm 级别的内存被间接承认失败。

报道称，三星希望扩大与竞争对手的技术差距，这些竞争对手包括 SK 海力士和美光科技此外，这并不是三星第一次放弃 DRAM 的某些开发阶段而向更高层次发展此前，三星放弃了 28 纳米 DRAM 的大规模生产，专注于生产 25 纳米 DRAM

业内专家认为，对三星来说，生产 11 纳米 DRAM 并不是一件容易的事，因为这需要先进的技术可是，据 BusinessKorea 报道，三星希望找到一种方法，该公司在 1c DRAM 完成之前面临着巨大的开发压力，因为其在 1a DRAM 的量产方面落后于其两个竞争对手

本站了解到，内存工艺在 20nm 节点之后就有不同断代方法，之前用的是 1x，1y，1z，后来又有了 1a，1b，1c 工艺，不过三星，SK 海力士及美光三大内存巨头的实际工艺也不完全是这样，有时公布的还是数字 + nm 命名。近日，三星电子投入量产业界最小线宽14nmDRAM，共5层采用EUV技术，实现了行业领先的晶圆密度。晶圆中的DRAM数量较前代增加约20%，大大降低了晶圆成本。。